مدلسازی مشخصه ‏‎i-v‎‏ ترانزیستورهای ‏‎soi‎‏ معتبر در تمامی نواحی عملکرد

در این پایان نامه ، یک مدل واحد پیوسته براساس فیزیک افزاره و پتانسیل سطحی برای مشخصه ‏‎i-v‎‏ ماسفتهای تمام و نیمه تخلیه ای ‏‎soi‎‏ ارائه شده است که به طور خودکار، براساس میزان تخلیه بدنه، حالت کار افزاره را تعیین کرده و مشخصه جریان-ولتاژ را محاسبه می کند. اثرات مقیاس کوچک مانند مدولاسیون طول کانال ‏‎clm‎‏، کاهش سد پتانسیل القا شده توسط درین(‏‎dibl‎‏) ، اثرات میدانهای شدید بر روی قابلیت حرکت و اثر مقاومتهای سورس و درین نیز در مدل شامل شده اند. اثرات خودگرمایی که در افزاره های‏‎soi‎‏ خیلی بیشتر از افزاره های بالک ظاهر می شود و همچنین اثرات بدنه شناور که شامل جریان ناشی از یونیزاسیون برخوردی و جریان ناشی از عملکرد ترانزیستور دو قطبی پارازیتی است در مدل در نظر گرفته شده اند. داده های به دست آمده از مدل در مقایسه با داده های آزمایشی به دست آمده از اندازه گیری افزاره ، نشان دهنده دقیق بودن توصیف جریان درین توسط این مدل در تمامی نواحی عملکرد افزاره است.